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MRAM是一种非易失性磁性随机存储器，它采用电子的自旋属性表征数据信息，拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

自旋存储技术MRAM分为三代，其中第一代Toggle MRAM对我国禁运，其主要用于航空航天及特种行业；第二代STT-MRAM专利基本为国外厂商垄断；国内仅致真存储致力于开发第三代MRAM的研发，其写入技术为SOT-MRAM，技术上对标更接近底层的缓存级存储器。公司SOT-MRAM发明专利数在企业中居全球前十。