MRAM产品供应商

致力于成为全球领先的

愿景     

我们专注于MRAM研究

致真存储是国内唯一具有SOT-MRAM完整知识产权和8英寸研发、中试、量产线的厂商,成功研发国内首个80nm以下MRAM核心器件,成为行业领先的前沿科技创新企业。

 

 

研发团队已在自旋存储芯片领域深耕近十年

 

 

 

致真存储研发团队是全国领先的MRAM设计和制造团队。

 

团队提出了基于STT辅助SOT的自旋协同矩(Toggle Spin Transfer,TST)新一代自旋存储器技术方案,在该方向的研发成果位于国际领先水平,是目前国内唯一一家掌握高性能TST-MRAM芯片技术的厂商,相关成果已发表于国际顶级期刊,并获得中国、美国授权专利。