MRAM制程

MRAM制造要求对20到30层非常薄的金属和绝缘体的复杂堆叠

对沉积、退火、磁化和蚀刻进行严格控制

这些存储器单元可以组成独立的存储器芯片，或者在前段制造流程中嵌入到逻辑芯片中

MRAM的核心部件

磁性隧道结 (MTJ)

MTJ叠层中单个金属层的厚度都需要高精度测量

了解薄膜层的厚度对于控制MRAM器件性能至关重要

MRAM结构的形状决定了MRAM单元的最终电性