喜报｜致真存储荣获北航全球科创大赛三等奖

 2021年12月23日，北航全球科创大赛总决赛获奖名单揭晓，致真存储脱颖而出，获得大赛成长组三等奖的好成绩。致真存储将珍惜荣誉，持续创新，铸好中国MRAM芯片。

北航全球科创大赛现已成功举办五届，秉承开放性、国际化、品牌化思路，覆盖全球30万北航校友和在校师生，大赛平台上直接募集资金超过20亿元，借助大赛成长公司估值超过2000亿元，取得了丰硕的成果，获得社会各界的广泛认可，是投资家和创业家相互辉映的大舞台。 

自2000年至今，自旋存储器MRAM历经多次重要技术变革，先后解决了隧穿磁阻率、存储稳定性等核心问题。

第一代自旋存储器Toggle-MRAM采用磁场完成数据写入，产品已应用于Airbus A350、BMW bike、卫星等领域，该芯片具有卓越的抗辐照性能，但也存在着数据写入功耗高，存储密度低的缺点。

第二代为自旋转移矩STT-MRAM不仅显著降低写入功耗，且极大提高了存储密度。2004年，STT效应由美国Grandis公司在自旋存储器中成功观测到；2005年，日本SONY公司推出首款STT-MRAM样片。随后，IBM、Toshiba、 Samsung、Intel和everspin等公司相继推出相关产品，晶圆代工大厂TSMC和Global Foundries也搭建了自旋存储器工艺产线。目前，部分嵌入式STT-MRAM芯片已在图像识别和人工智能等领域得到应用。

虽然STT-MARM受到业界广泛关注，但该技术也面临着亟待克服的性能瓶颈。为解决在读写操作电流的反复作用下MTJ势垒层老化甚至被击穿的问题，学术界提出基于自旋轨道矩SOT效应的写入方式。SOT-MRAM有望实现亚纳秒级别的数据写入速度，且写入路径与读取路径相互分离，便于读写性能的独立优化，已成为学术界研究的重点。

第三代为自旋协同矩TST-MRAM，该技术由致真存储研发团队率先提出，TST-MRAM具有微缩性能好、寿命长、速度快的特点。国际芯片代工厂Global Foundries将TST-MRAM列入技术路线图中。

致真存储秉承致真精神，致力于实现STS-MRAM量产，服务社会。

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