喜讯 | 致真存储首个国家重点研发计划项目获批通过！

近日，科技部批复，致真存储首个国家重点研发计划项目正式立项。

致真存储作为国家重点研发计划“微纳电子技术”重点专项项目子课题“高性能磁存储器电路设计及片上集成技术研究”的负责单位，驰拓科技为该课题参与单位。

作为中国新一代磁性随机存储器（MRAM）研发与应用的引领者，致真存储拥有国内首条MRAM 8英寸专用研发线和12英寸中试线使用权，成功研发国内首个80nm以下MRAM核心器件，成为行业领先的前沿科技创新企业。

致真存储研发的MRAM产品具备极大潜力满足工业类、消费类、人工智能、高可靠芯片领域、车规电子等场景下的存储芯片应用需求，市场发展前景广阔。

国家重点研发计划，是国家科技计划布局构架改革的重大举措，于2016年正式启动实施，是我国当前最高级别的研发项目之一。由中央财政资金设立，是针对事关国计民生的重大社会公益性研究，以及事关产业核心竞争力、整体自主创新能力和国家安全的战略性、基础性、前瞻性重大科学问题、重大共性关键技术和产品，为国民经济和社会发展主要领域提供持续性的支撑和引领。

此次项目的获批，是国家科技部对致真存储研发创新能力及市场化落地能力的认可，同时标志着新一代磁性随机存储器MRAM行业发展之路迎来重要里程碑。

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